Diese Dissertation beschäftigt sich mit der Entwicklung von Verfahren zur Atomlagenabscheidung (ALD) von Tantalnitrid-basierten Elektroden in Grabenstrukturen mit hohen Aspektverhältnissen. Auf Basis von Simulationen sowie von theoretischen Betrachtungen zum Phasensystem und zum Stand der Technik im Bereich der ALD wurden zwei Verfahren zur Herstellung von Tantalnitrid-basierten Dünnschichtelektroden entwickelt. Beide Verfahren liefern jeweils Schichten mit hoher Resistenz gegen Oxidation an Luft, hoher Dichte sowie niedrigem spezifischem elektrischen Widerstand.

Die fortschreitende Miniaturisierung in der Halbleitertechnik führt insbesondere bei der Herstellung von dynamischen Halbleiterspeichern zu einer starken Zunahme der Aspektverhältnisse innerhalb von Speicherkondensatoren. Daraus folgend kommt es hier bei der Abscheidung von Elektroden und Dielektrika zu sehr hohen Anforderungen an die Kantenbedeckung, was die Atomlagenabscheidung (ALD) mit ihrem zyklischen selbstlimitierten Monolagenwachstum für diese Anwendung prädestiniert. Vor diesem Hintergrund befasst sich diese Arbeit mit der Entwicklung von ALD-Verfahren zur konformen Beschichtung von Grabenstrukturen mit Tantalnitrid-basierten Elektrodenmaterialien.

„Entwicklung von Verfahren zur Atomlagenabscheidung von leitfähigen Tantalnitrid-basierten Dünnschichten“ von Christoph Hoßbach ist ab sofort im tredition Verlag oder alternativ unter der ISBN 978-3-8495-7446-8 zu bestellen. Der tredition Verlag hat es sich zum wichtigsten Ziel gesetzt, jungen und unbekannten Autoren die Veröffentlichung eigener Bücher zu ermöglichen, aber auch Verlagen und Verlegern eine Kooperation anzubieten. tredition veröffentlicht Bücher in allen Medientypen, vertreibt im gesamten Buchhandel und vermarktet Bücher seit Oktober 2012 auch aktiv.

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